| 型号：FII50-12E | 类别：IGBT - 阵列 | 制造商：IXYS |
| 封装：i4-Pac?-5 | 描述：IGBT PHASE NPT3 ISOPLUS I4-PAC-5 | |
详细参数
| 类别 | IGBT - 阵列 |
|---|---|
| 描述 | IGBT PHASE NPT3 ISOPLUS I4-PAC-5 |
| 系列 | - |
| 制造商 | IXYS |
| IGBT类型 | NPT |
| 配置 | 半桥 |
| 电压_集电极发射极击穿111最大222 | 1200V |
| VgewwwwIc时的最大Vce111开222 | 2.6V @ 15V，30A |
| 电流_集电极（Ic）111最大222 | 50A |
| 电流_集电极截止111最大222 | 400µA |
| Vce时的输入电容（Cies） | 2nF @ 25V |
| 功率_最大 | 200W |
| 输入 | 标准 |
| NTC热敏电阻 | 无 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | i4-Pac?-5 |
| 供应商设备封装 | ISOPLUS i4-PAC? |
供应商
| 深圳勤思达科技有限公司 | 吴086-0755-83268779 |
| 深圳市旺财半导体有限公司 | 李先生86-83209217 |
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1206（3216 公制）
RES 41.2 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
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0201（0603 公制）
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